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从实际应用的角度来看，安装使用简单、体积相对较小的大功率LED器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率LED器件。对于由小功率LED组成的照明灯具，必须集中许多LED的光能才能达到设计要求，但带来的缺点是线路异常复杂，散热不畅。为了平衡各个LED之间的电流、电压关系，必须设计复杂的供电电路。相比之下，大功率单体LED的功率远大于若干个小功率LED的功率总和，供电线路相对简单，散热结构完善，物理特性稳定。所以说，大功率LED器件代替小功率LED器件成为主流半导体照明器件是必然的。但是，大功率LED器件并不能简单地套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率给LED封装工艺、封装设备和封装材料提出了更高的要求。
1、大功率LED芯片
要想得到大功率LED器件就必须制造合适的大功率LED芯片，国际上制造大功率LED芯片的方法有如下几种
①加大尺寸法。利用通过增大单体LED的有效发光面积和增大尺寸后促使流经TCL层的电流均匀分布而特殊设计的电极结构(一般为梳状电极)，可以得到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。
②硅底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出用于共晶焊接的金导电层及引出导电层(超声金丝球焊点)。再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，既考虑了出光问题又考虑到了散热问题。这是目前主流的大功率LED的生产方式。
Lumileds公司研制的AanN功率型倒装芯片( FC-LED)，其制造流程是：首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于50m的NiAu层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N型层；经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1mmx1mm，P型欧姆接触层为正方形，N欧姆接触层以梳状形式插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至***小；然后将金属化凸点的 AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(ESD)的硅载体上。
③陶瓷底板倒装法。先利用LED晶片通用设备制造出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留安装空间。
④蓝宝石衬底过渡法。按照传统的 IngaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。
⑤ AlGaInN碳化硅(SiC)背面出光法。美国Cree公司采用SiC衬底制造的 AlGaInN/SiCa芯片结构经不断改进，亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，单引线键合，兼容性较好，使用方便，因而成为 AlGaInN LeD发展的另一主流产品。
