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LED是利用化合物材料制成PN结的光电器件，它具备PN结型器件的电学特性(V特性、C-V特性)、光学特性(光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性)以及热学特性。
一、LED的电学特性
(2)C-V特性
LED的芯片有9密耳×9密耳(1密耳=0.001英寸=254m)、10密耳×10密耳、11密耳×11密耳、12密耳×12密耳等规格，故PN结面积大小不一，其结电容G为势垒电容Cb与扩散电容Ca之和，即CC+ Cds LED的C-特性呈二次函数关系。
(3)允许功耗P
若流过LED的电流为h，管压降为F，则LED消耗的功率为P=F×。在LED工作过程中，外加偏压、偏流一定时，促使PN结内一部分载流子复合发光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为7，外部环境温度为7，则当7>7时，LED内部热量借助管座向外散发。
(4)响应时间
LED的响应时间是标志反应速度的一个重要参数，商华建设尤其在脉冲驱动或电调制时显得非常重要。响应时间是指输入正向电流后LED开始发光(上升)和熄灭(衰减)的时间。LED的上升时间随着电流的增大近似按指数规律衰减。直接跃迁材料(如GaAs1xP2)的响应时间仅为几纳秒，而间接跃迁材料(如GaP)的响应时间则为100ns。
从使用角度来看，LED的响应时间就是LED点亮与熄灭所延迟的时间，LED的响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。
①LED的点亮时间4(上升时间)。t是指从接通电源使发光强度达到正常值的10%开始，一直到发光强度达到正常值的90%所经历的时间。
②LED熄灭时间n(下降时间)。t是指从正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。用不同材料制造的LED的响应时间各不相同，如GaAs、 GaAsP、 GaAlAS LED的响应时间小于10°s， GaP LED为103。因此，商华建设它们可应用于10-100MHz的高频系统。
